fqp50n06, FET, MOSFET, Fairchild FET durante la instalación, tenga en cuenta la ubicación de la instalación se debe evitar cerca del elemento calefactor; con el fin de evitar la vibración del tubo, es necesario reforzar la ca?ería de la cubierta; patillas de salida cuando se dobla, debe ser mayor que el tama?o de 5 mm en la raíz, para evitar que se doblen los terminales y causar fugas y otros fuera. Debe a?adirse a la tubería del radiador derecho después de usar el VMOS. En VNF306 como un ejemplo, la instalación de la tubería de 140 × 140 × 4 (mm) del disipador de calor después de K1837 FET, la potencia máxima con el fin de lograr 30W. fqpf8n60c, cables FET FET, MOSFET FQL40N50 MOSFET, Fairchild MOS FET debido a la alta impedancia de entrada 47N60C3 FET, por lo que el transporte, el almacenamiento deben ser cortocircuitados, utilizan metales blindaje embalaje a evitar la inducción externa desglose puerta enlazado. Preste especial atención a, no se puede colocar en una caja de plástico MOS FET, cuando se guarda el mejor de la caja de metal, sino también prestar atención a la humedad tubo. 47N60C3 FET _ son fértiles Electrónica (certificado) _ FET Dongguan es proporcionada por Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan es Wal-Electronic Technology Co., Ltd. (www.dgmydz.com) es Dongguan, líder FET, en los últimos a?os, la compa?ía está implementando la gestión científica, la innovación y el desarrollo, el principio de la honestidad y la honradez, y satisfacer las necesidades del cliente. Líder Wal-electrónica en la positiva con el personal cordial bienvenida a todas las negociaciones de consultas para crear un futuro positivo Wal-electrón mejor.