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Nombre: | mos tubo 20n60, son fértiles Electrónica (certificado), mos tubo |
publicado: | 2015-01-14 |
validez: | 0 |
Especificaciones: | Limitado |
cantidad: | |
Descripción Precio: | |
Detailed Product Description: | g40n60, la principal diferencia FET, MOSFET de potencia, IGBT y FET transistor en las características eléctricas son las siguientes: patch FET FET 1: FET es un dispositivo de control de tensión, el caso conductora del tubo depende el nivel de voltaje de la puerta. Transistor es un dispositivo de control de corriente, el caso conductora del tubo depende del tama?o de la corriente de base. 2: Tensión drenaje-fuente FET característica tensión de puerta estática UGS para la salida de transistor paramétrica curva característica de la corriente de base Ib como variable de referencia. 3: la relación entre los IDS actuales y la puerta del FET entre UGS determinado por la transconductancia gm, la relación entre el transistor corriente Ic y Ib por la decisión β factor de amplificación. En otras palabras, la capacidad de zoom con Gm FET medida la capacidad de amplificación del transistor con medida β. 4: FET impedancia de entrada grandes MOS tubo 20nm60, la corriente de entrada es muy peque?a; impedancia de entrada peque?o transistor, la corriente de entrada es mayor cuando el conductor. 5: Generalmente menos 58n20 tubo MOS FET de potencia, gran transistor de potencia. fqp50n06, FET, MOSFET mos 47n60c3 tubo, Fairchild FET al instalar, tenga en cuenta la ubicación de la instalación se debe evitar cerca del elemento calefactor; con el fin de evitar la vibración del tubo, es necesario reforzar la ca?ería de la cubierta; pinouts en flexión, debe ser mayor que el tama?o de 5 mm en la raíz, para evitar doblar las patillas y causar fugas y otra fuera. Debe a?adirse a la tubería del radiador derecho después de usar el VMOS. En VNF306 como un ejemplo, la instalación de la tubería de 140 × 140 × 4 (mm) del radiador, la potencia máxima con el fin de lograr 30W. mos tubo 20n60, son fértiles Electrónica (certificado), mos tubo provisto por la Ciudad de Dongguan es fértil Tecnología Electrónica Co, Dongguan es Wal-Electronic Technology Co., Ltd. (www.dgmydz.com) es Dongguan, líder FET, en los últimos a?os, la compa?ía está implementando la gestión científica, la innovación y el desarrollo, el principio de la honestidad y la honradez, y satisfacer las necesidades del cliente. Líder Wal-electrónica en la positiva con el personal cordial bienvenida a todas las negociaciones de consultas para crear un futuro positivo Wal-electrón mejor. |
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derechos de autor © GuangDong ICP No. 10089450, Dongguan es Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Todos los Derechos Reservados.
apoyo técnico: Shenzhen Allways tecnología desarrollo Co., Ltd.
AllSources red'sDescargo de responsabilidad: La legitimidad de la información de la empresa no asume ninguna responsabilidad de garantía
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